針對服務(wù)器用電源、太陽能發(fā)電用交換器、EV用

?                                       4端子的碳化硅晶體管

　ROHm開發(fā)了一款新的碳化硅金屬氧化膜半導(dǎo)體電場效應(yīng)晶體管（MOSFET），這款產(chǎn)品可以將轉(zhuǎn)換損失降低同社商品的35%的損失。端子數(shù)采用了4端子的結(jié)構(gòu)，同社從前商品都是3端子結(jié)構(gòu)。能抑制電磁感應(yīng)的影響，將SiCMOSFET的高速轉(zhuǎn)換性能提升到最大限度。

　樣品價(jià)格2100日元（不含消費(fèi)稅）起，月產(chǎn)50萬個(gè)的體制開始量產(chǎn)。

　這款晶體管是服務(wù)器用電源、太陽能發(fā)電用交換器和EV充電樁等開發(fā)的。采用了芯片表面設(shè)置溝槽，側(cè)壁是形成MOSFET回路的戰(zhàn)壕構(gòu)造。數(shù)據(jù)庫使用的服務(wù)器在大容量化、高性能化的同時(shí)，降低消耗電力一直是個(gè)問題。